Structures MOS: dynamique de charge et conception de circuits

Cette séance de cours traite des principes des structures MOS, en se concentrant sur la dynamique de charge et le comportement des champs électriques dans les dispositifs à semi-conducteurs. L'instructeur explique le concept de régions d'épuisement dans les substrats de type P et comment les charges négatives fixes créent un champ électrique. La relation entre le potentiel de surface et la force du champ électrique est analysée, en particulier lors de l'introduction de charges positives supplémentaires. La séance de cours couvre également la conception de condensateurs avec et sans contacts de source et de drain, illustrant comment ces configurations affectent la capacité. L'instructeur démontre la construction d'un inverseur CMOS, détaillant les connexions entre les transistors NMOS et PMOS, et explique la table logique pour le circuit. L'importance d'isoler les sorties dans les portes logiques est soulignée, ainsi que le rôle des portes de transmission dans la conception des circuits. La séance de cours se termine par un examen de la structure globale et de la fonction des circuits discutés, fournissant une compréhension globale de la technologie MOS et de ses applications dans la conception électronique.