Lithographie par faisceau d'électrons: Corrections d'effets de proximité

Cette séance de cours couvre les corrections d'effet de proximité en lithographie par faisceau d'électrons, en se concentrant sur l'ajustement uniforme de la dose pour les petits motifs, la correction de la dose pixel par pixel pour les grandes caractéristiques et l'importance d'un modèle de fonction d'étalement de point de faisceau. L'instructeur discute de la double approximation gaussienne pour la diffusion en avant et en arrière, des approches expérimentales utilisant des modèles imbriqués et des balayages de dose, et de la dose de base pour les résistances négatives et positives. La séance de cours aborde également l'impact de paramètres tels que la tension d'accélération et l'épaisseur de résistance sur les effets de proximité, soulignant la nécessité d'une métrologie pratique en micro et nanofabrication.