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Cette séance de cours compare le fonctionnement et les caractéristiques du transistor à jonction bipolaire (BJT) et du transistor à effet de champ à oxyde métallique (MOSFET) dans les systèmes logiques. Il traite du besoin de courant de base dans BJT et de la charge de grille dans MOSFET, en soulignant les différences entre les technologies TTL et CMOS en termes de vitesse, de consommation d'énergie et d'interface. La séance de cours couvre également les implications des scénarios de surtension et sous tension, de la décharge électrostatique et de l'utilisation de portes inutilisées dans les circuits intégrés.