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Explore l'implantation d'ions dans le silicium pour la fabrication de transistors et de diodes, couvrant les étapes, les défis, les solutions et les niveaux de dopage.
S'intéresse aux fondamentaux de la SRAM, à la structure des cellules de bits, aux opérations de lecture/écriture, aux contraintes de dimensionnement et à l'impact sur la loi de Moore.
Couvre les batteries d'essai et de charge à l'aide de microcontrôleurs, y compris la mesure de la tension, la gestion du courant et les améliorations potentielles.
Explore le dopage électrostatique dans la nanoélectronique à base de carbone, en soulignant l'importance de la faible densité d'états pour de nouveaux concepts de dispositifs.
