Revisite la modélisation du transistor MOS pour la conception de circuits analogiques basse tension et basse puissance, en se concentrant sur le modèle à base de charge EKV.
Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
Couvre l'analyse des transistors MOSFET avec grille et drain court-circuités, en se concentrant sur leurs caractéristiques opérationnelles et techniques de mesure.
Explore le concept de coefficient d'inversion dans la conception de circuits intégrés analogiques de faible puissance, en mettant l'accent sur les compromis pour une consommation d'énergie minimale.
Explore les transistors, des concepts de base aux applications de circuit, en passant par les sources de courant, les amplificateurs, les suiveurs et les commutateurs.
Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Couvre les bases de la conception VLSI, y compris la mise à l'échelle, la technologie, le fonctionnement MOSFET et la mise en œuvre du circuit logique.
