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Cette séance de cours couvre les bases des portes et des systèmes logiques à oxyde métallique complémentaire (CMOS), en se concentrant sur le fonctionnement et les caractéristiques des transistors à effet de champ à oxyde métallique (MOSFET) par rapport aux transistors à jonction bipolaire (BJT). Il traite des différences de fonctionnement, des fonctions complémentaires et des avantages de la CMOS par rapport aux portes TTL (Transistor-Transistor Logic). La séance de cours explore également l'impact de la charge de grille, de la consommation d'énergie et de la tolérance de tension dans les circuits TTL et CMOS, en soulignant les compromis entre la vitesse, l'efficacité énergétique et la robustesse. En outre, il aborde les défis d'interfaçage entre les technologies TTL et CMOS, en soulignant la nécessité d'une adaptation appropriée du niveau de signal pour assurer une communication transparente entre les différentes familles logiques.