Explore la combinaison de systèmes de détection des rayonnements, de la collecte de lumière à l'amplification des signaux à l'aide de divers détecteurs de semi-conducteurs.
Explore les principes de détection des rayonnements, les détecteurs de semi-conducteurs, les méthodes de collecte de la lumière et le traitement des signaux.
Explore les appareils d'imagerie à rayons X et gamma, les détecteurs de semi-conducteurs et les applications de transport de charge dans les détecteurs.
Couvre les principes de la détection de photons uniques à l'aide de dispositifs couplés en charge multiplicatrice d'électrons (EM-CCD) et leurs applications en imagerie par faible luminosité.
Couvre la conception et l'optimisation des photodiodes, en mettant l'accent sur l'amélioration des performances grâce à la sélection des matériaux et à l'importance de la région d'épuisement.
Couvre les photodétecteurs infrarouges, en se concentrant sur les détecteurs MSM et les photoconducteurs, leurs structures, leurs avantages, leurs inconvénients et leurs principes opérationnels.
Explore les interactions faisceau-matière, en se concentrant sur les phénomènes d'émission de l'ionisation électronique du noyau par les rayons X et les électrons, et la concurrence entre Auger et les émissions de rayons X.
