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Publications associées (9)

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Analysis of defect capture cross sections using non-radiative multiphonon-assisted trapping model

Alexandre Schmid, Yusuf Leblebici, Davide Garetto

A multiphonon-assisted model included in a Poisson-Schroedinger solver has been applied to the calculation of the capture/emission trapping rates of CMOS oxide interface defects. The dependencies of trap capture cross-sections with trap energy, depth, appl ...

2012

Comparing defect characterization techniques with non-radiative multiphonon charge trapping model AC analysis, trap-assisted-tunneling and charge pumping

Alexandre Schmid, Davide Garetto

The advantages and drawbacks of Capacitance vs Voltage (CV) characteristics, trap-assisted gate leakage tunneling and multi-frequency charge pumping techniques, have been brought out through an attentive investigation of oxide defects in CMOS technologies. ...

Springer Verlag2012

Modeling Stressed MOS Oxides Using a Multiphonon-Assisted Quantum Approach—Part I: Impedance Analysis

Alexandre Schmid, Yusuf Leblebici, Davide Garetto

Complementary MOS device electrical performances are considerably affected by the degradation of the oxide lay- ers and Si/SiO2 interfaces. A general expression for electrically stressed MOS impedance has been derived and applied within the nonradiative mu ...

Institute of Electrical and Electronics Engineers2012