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Jean-Michel Jacques Lamy

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Unités associées (1)

Laboratoire en semiconducteurs avancés pour la photonique et l'électronique

EPFL
SB
IPHYS
LASPE

Publications associées (5)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Dimensioning a full color LED microdisplay for augmented reality headset in a very bright environment

Eric Feltin, Jean-Michel Jacques Lamy

This paper focuses on the dimensioning of a very bright full color 10 mu m-pitch light-emitting device (LED) microdisplay for avionics application. Starting from the specifications of head-mounted display to be used in an augmented reality optical system, ...

WILEY2020

InGaN laser diodes emitting at 500 nm with p-layers grown by molecular beam epitaxy

Nicolas Grandjean, Julien Dorsaz, Eric Feltin, Antonino Francesco Castiglia, Marco Malinverni, Jean-Michel Jacques Lamy, Marco Rossetti, Lise Lahourcade, Denis Martin

We demonstrate hybrid laser diodes by combining n-type layers and an active region grown by metal organic vapor phase epitaxy with p-type layers grown by molecular beam epitaxy. These p-doped layers, grown at 740 degrees C, exhibit state-of-the-art electri ...

Japan Society of Applied Physics2015

Low temperature p-type doping of (Al)GaN layers using ammonia molecular beam epitaxy for InGaN laser diodes

Nicolas Grandjean, Julien Dorsaz, Eric Feltin, Antonino Francesco Castiglia, Marco Malinverni, Jean-Michel Jacques Lamy, Denis Martin

We demonstrate state-of-the-art p-type (Al) GaN layers deposited at low temperature (740 degrees C) by ammonia molecular beam epitaxy (NH3-MBE) to be used as top cladding of laser diodes (LDs) with the aim of further reducing the thermal budget on the InGa ...

Amer Inst Physics2014