Seebeck coefficientThe Seebeck coefficient (also known as thermopower, thermoelectric power, and thermoelectric sensitivity) of a material is a measure of the magnitude of an induced thermoelectric voltage in response to a temperature difference across that material, as induced by the Seebeck effect. The SI unit of the Seebeck coefficient is volts per kelvin (V/K), although it is more often given in microvolts per kelvin (μV/K). The use of materials with a high Seebeck coefficient is one of many important factors for the efficient behaviour of thermoelectric generators and thermoelectric coolers.
Thermoelectric effectThe thermoelectric effect is the direct conversion of temperature differences to electric voltage and vice versa via a thermocouple. A thermoelectric device creates a voltage when there is a different temperature on each side. Conversely, when a voltage is applied to it, heat is transferred from one side to the other, creating a temperature difference. At the atomic scale, an applied temperature gradient causes charge carriers in the material to diffuse from the hot side to the cold side.
Densité de chargeLa densité de charge électrique désigne la quantité de charge électrique par unité d'espace. Selon que l'on considère un problème à 1, 2 ou 3 dimensions, c'est-à-dire une ligne, une surface ou un volume, on parlera de densité linéique, surfacique ou volumique de charge. Leurs unités sont respectivement le coulomb par mètre (), le coulomb par mètre carré () et le coulomb par mètre cube () dans le Système international. Comme il existe des charges négatives comme des charges positives, la densité de charge peut prendre des valeurs négatives.
Excitonvignette|Représentation schématique d'un exciton de Frenkel, dans un cristal (points noirs). Un exciton est, en physique, une quasi-particule que l'on peut voir comme une paire électron-trou liée par des forces de Coulomb. Une analogie souvent utilisée consiste à comparer l'électron et le trou respectivement à l'électron et au proton d'un atome d'hydrogène. Ce phénomène se produit dans les semi-conducteurs et les isolants. En 2008, le premier dispositif électronique basé sur des excitons a été démontré, fonctionnant à des températures cryogéniques.
Electrical resistivity and conductivityElectrical resistivity (also called volume resistivity or specific electrical resistance) is a fundamental specific property of a material that measures its electrical resistance or how strongly it resists electric current. A low resistivity indicates a material that readily allows electric current. Resistivity is commonly represented by the Greek letter ρ (rho). The SI unit of electrical resistivity is the ohm-metre (Ω⋅m).
Surface statesSurface states are electronic states found at the surface of materials. They are formed due to the sharp transition from solid material that ends with a surface and are found only at the atom layers closest to the surface. The termination of a material with a surface leads to a change of the electronic band structure from the bulk material to the vacuum. In the weakened potential at the surface, new electronic states can be formed, so called surface states.
Porte-avions d'escorteLe porte-avions d'escorte (PAE) est un type de porte-avions de petite taille produit durant la Seconde Guerre mondiale. Conçus dans l'urgence pour assurer la protection des convois et pour suppléer le manque de porte-avions d'escadre en assurant une partie de leurs missions d'entraînement et de transport, ces navires assurèrent des missions offensives de plus en plus nombreuses, notamment la conduite de raids contre des objectifs terrestres et les missions d'appui au sol lors des opérations amphibies.
Self-aligned gateUne self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en . Fa
Force intermoléculaireLes forces intermoléculaires sont des forces de nature essentiellement électrostatique induisant une attraction ou une répulsion entre des particules chimiques (atomes, molécules ou ions). Ces forces sont en général bien plus faibles que les forces intramoléculaires qui assurent l'association des atomes dans les molécules.
Porte-avionsUn porte-avions ou un porte-aéronefs (aussi écrit au singulier porte-avion ou porte-aéronef depuis 1990) est un navire de guerre permettant le lancement et la réception d'aéronefs (avions de combat, hélicoptères) à partir de son pont. Ces bâtiments sont dotés d’une puissance militaire considérable dont les capacités multiples en font des instruments d’une grande souplesse d’utilisation militaire ou diplomatique.
