Composant semi-conducteurvignette|Aperçu de quelques dispositifs semi-conducteurs encapsulés Un composant semi-conducteur est un composant électronique dont le fonctionnement repose sur les propriétés électroniques d'un matériau semi-conducteur (principalement le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques). Sa conductivité se situe entre les conducteurs et les isolants. Les composants semi-conducteurs ont remplacé les tubes à vide dans la plupart des applications.
SSDEn informatique, un SSD (de l'anglais solid-state drive), voire disque SSD, disque électronique, disque statique à semi-conducteurs ou plus simplement disque à semi-conducteurs au Québec, est un matériel informatique permettant le stockage de données sur de la mémoire flash. En Français, l'utilisation commune du terme « disque SSD » en France et « disque à semi-conducteurs » au Québec, constituent toutes les deux un abus de langage, puisque le mot « disque » n'existe pas dans l'Anglais « solid-state drive ».
Power semiconductor deviceA power semiconductor device is a semiconductor device used as a switch or rectifier in power electronics (for example in a switch-mode power supply). Such a device is also called a power device or, when used in an integrated circuit, a power IC. A power semiconductor device is usually used in "commutation mode" (i.e., it is either on or off), and therefore has a design optimized for such usage; it should usually not be used in linear operation. Linear power circuits are widespread as voltage regulators, audio amplifiers, and radio frequency amplifiers.
Transistor à effet de champ à grille métal-oxydethumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.
Electron mobilityIn solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. When an electric field E is applied across a piece of material, the electrons respond by moving with an average velocity called the drift velocity, .
Disque dur hybrideEn informatique, un disque dur hybride (ou disque hybride ; en anglais, hybrid drive) est un dispositif logique ou physique de stockage qui combine la technologie des Solid-state drives (SSD) avec la technologie des disques durs (HDD) dans le but d'ajouter un peu de la vitesse des solid-state drives à la capacité de stockage économique des disques durs traditionnels. Le but du solid-state drive dans un disque dur hybride est d'agir comme un cache pour les données stockées sur le disque dur, améliorant la performance globale en gardant des copies des données les plus fréquemment utilisées sur le solid-state drive.
Multigate deviceA multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET).
Floating-gate MOSFETThe floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated, creating a floating node in direct current, and a number of secondary gates or inputs are deposited above the floating gate (FG) and are electrically isolated from it. These inputs are only capacitively connected to the FG.
Signalisation ferroviairevignette|Nouvelle signalisation allemande de passage à niveau, en 1928 La signalisation ferroviaire est un système d'informations destiné à renseigner le conducteur d'une circulation ferroviaire lui donnant, sous forme de codes réalisés par des signaux de forme, de combinaisons, ou de couleur diverses, dont la signification est prédéfinie, disposés le long des voies ou en cabine, toutes les informations qui lui sont nécessaires afin de régler la marche de son convoi et rouler en toute sécurité.
Trou d'électronEn physique du solide, un trou d'électron (habituellement appelé tout simplement trou) est l'absence d'un électron dans la bande de valence, qui serait normalement remplie sans le trou. Une bande de valence remplie (ou presque remplie) est une caractéristique des isolants et des semi-conducteurs. Le concept de trou est essentiellement une façon simple d'analyser le mouvement d'un grand nombre d'électrons en traitant cette absence d'électron comme une quasi-particule. Les trous sont dus à l'interaction des électrons avec le réseau cristallin.
