Publication
Modal analysis and modeling of a frictionless electrostatic rotary stepper micromotor
Concepts associés (27)
Three-dimensional integrated circuit
A three-dimensional integrated circuit (3D IC) is a MOS (metal-oxide semiconductor) integrated circuit (IC) manufactured by stacking as many as 16 or more ICs and interconnecting them vertically using, for instance, through-silicon vias (TSVs) or Cu-Cu connections, so that they behave as a single device to achieve performance improvements at reduced power and smaller footprint than conventional two dimensional processes. The 3D IC is one of several 3D integration schemes that exploit the z-direction to achieve electrical performance benefits in microelectronics and nanoelectronics.
Hybrid integrated circuit
A hybrid integrated circuit (HIC), hybrid microcircuit, hybrid circuit or simply hybrid is a miniaturized electronic circuit constructed of individual devices, such as semiconductor devices (e.g. transistors, diodes or monolithic ICs) and passive components (e.g. resistors, inductors, transformers, and capacitors), bonded to a substrate or printed circuit board (PCB). A PCB having components on a Printed Wiring Board (PWB) is not considered a true hybrid circuit according to the definition of MIL-PRF-38534.
Deformation (engineering)
In engineering, deformation refers to the change in size or shape of an object. Displacements are the absolute change in position of a point on the object. Deflection is the relative change in external displacements on an object. Strain is the relative internal change in shape of an infinitesimally small cube of material and can be expressed as a non-dimensional change in length or angle of distortion of the cube. Strains are related to the forces acting on the cube, which are known as stress, by a stress-strain curve.
Circuit intégré
Le circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre. Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories : analogique et numérique.
Silicon on sapphire
Silicon on sapphire (SOS) is a hetero-epitaxial process for metal–oxide–semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 μm) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the silicon-on-insulator (SOI) family of CMOS (complementary MOS) technologies. Typically, high-purity artificially grown sapphire crystals are used. The silicon is usually deposited by the decomposition of silane gas (SiH4) on heated sapphire substrates.
Co-fired ceramic
Co-fired ceramic devices are monolithic, ceramic microelectronic devices where the entire ceramic support structure and any conductive, resistive, and dielectric materials are fired in a kiln at the same time. Typical devices include capacitors, inductors, resistors, transformers, and hybrid circuits. The technology is also used for robust assembly and packaging of electronic components multi-layer packaging in the electronics industry, such as military electronics, MEMS, microprocessor and RF applications.
Fluage
Le fluage est le phénomène physique qui provoque la déformation irréversible différée (c'est-à-dire non instantanée) d’un matériau soumis à une contrainte constante (notée ), même inférieure à la limite d'élasticité du matériau, pendant une durée suffisante. Le fluage ainsi que la relaxation de contrainte sont deux méthodes en quasi statique de caractérisation des matériaux visqueux (cas du béton). vignette|100px|Essai de fluage à chaud.
Silicium-germanium
Les alliages silicium-germanium forment une famille de composés de formule GexSi1-x, utilisés en tant que semi-conducteurs dans des transistors. Ces alliages possèdent également de bonnes caractéristiques thermoélectriques aux hautes températures (au-dessus de ) et sont notamment utilisés pour la génération d’électricité dans le domaine spatial. Ce sont par exemple des alliages de ce type qui sont utilisés pour l' des sondes Voyager. Transistor Thermoélectricité Catégorie:Composé du silicium Catégorie:Comp
Méthode des éléments finis
En analyse numérique, la méthode des éléments finis (MEF, ou FEM pour finite element method en anglais) est utilisée pour résoudre numériquement des équations aux dérivées partielles. Celles-ci peuvent par exemple représenter analytiquement le comportement dynamique de certains systèmes physiques (mécaniques, thermodynamiques, acoustiques).
Déformation plastique
La théorie de la plasticité traite des déformations irréversibles indépendantes du temps, elle est basée sur des mécanismes physiques intervenant dans les métaux et alliages mettant en jeu des mouvements de dislocations (un réarrangement de la position relative des atomes, ou plus généralement des éléments constitutifs du matériau) dans un réseau cristallin sans influence de phénomènes visqueux ni présence de décohésion endommageant la matière. Une des caractéristiques de la plasticité est qu’elle n’apparaît qu’une fois un seuil de charge atteint.