Mémoire vive dynamiqueLa mémoire vive dynamique (en anglais DRAM pour Dynamic Random Access Memory) est un type de mémoire vive compacte et peu dispendieuse. La simplicité structurelle de la DRAM — un pico-condensateur et un transistor pour un bit — permet d'obtenir une densité élevée. Son inconvénient réside dans les courants de fuite des pico-condensateurs : l'information disparaît à moins que la charge des condensateurs ne soit rafraîchie avec une période de quelques millisecondes. D'où le terme de dynamique.
Disque optiquethumb|right|CD en vrac. Dans les domaines de l'informatique, de l'audio et de la vidéo, un disque optique, aussi appelé disque optique numérique ou DON, est un disque plat servant de support de stockage amovible. Un disque optique est habituellement constitué de polycarbonate. En informatique, les disques optiques sont utilisés comme mémoires de masse. La norme ISO 9660 définit le système de fichiers utilisé sur les CD-ROM et DVD-ROM. Les CD, les DVD et les Blu-ray sont les disques optiques les plus connus.
Mémoire (informatique)En informatique, la mémoire est un dispositif électronique numérique qui sert à stocker des données. La mémoire est un composant essentiel, présent dans tous les ordinateurs, les consoles de jeux, les GPS et de nombreux appareils électroniques. Les mémoires sont vendues sous forme de pièces détachées de matériel informatique, ou de composants électroniques. Les différences entre les pièces sont la forme, l'usage qui en est fait, la technologie utilisée, la capacité de stockage et le rapport entre le coût et la capacité.
Die (circuit intégré)alt=Puce nue d'un circuit intégré Texas Instruments 5430|vignette|Puce nue d'un circuit intégré Texas Instruments 5430. thumb|en d'un Intel Pentium 4 visible après le retrait de l'IHS. En électronique, un die (de l'anglais) est un petit morceau rectangulaire résultant de la découpe d'un en sur lequel un circuit intégré a été fabriqué. Par extension, « en » désigne le circuit intégré lui-même sans son boîtier, et il est synonyme de puce électronique.
Martèlement de mémoireLe martèlement de mémoire, de l'anglais row hammer ou rowhammer, est un effet secondaire imprévu dans les mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) qui provoque une fuite de charge électrique dans des cellules de mémoire, et en conséquence provoque une interaction électrique entre ces cellules et d'autres cellules voisines. Le contenu mémorisé dans ces cellules voisines peut être ainsi modifié. Un programme informatique peut ainsi parvenir à modifier le contenu des cellules voisines sans avoir besoin d'accéder à ces cellules voisines, et donc sans avoir le droit d'y accéder.
Memory cell (computing)The memory cell is the fundamental building block of computer memory. The memory cell is an electronic circuit that stores one bit of binary information and it must be set to store a logic 1 (high voltage level) and reset to store a logic 0 (low voltage level). Its value is maintained/stored until it is changed by the set/reset process. The value in the memory cell can be accessed by reading it. Over the history of computing, different memory cell architectures have been used, including core memory and bubble memory.
Static Random Access Memorythumb|Une SRAM de 1999. La mémoire vive statique (ou SRAM de l'anglais Static Random Access Memory) est un type de mémoire vive utilisant des bascules pour mémoriser les données. Mais contrairement à la mémoire dynamique, elle n'a pas besoin de rafraîchir périodiquement son contenu. Comme la mémoire dynamique, elle est volatile : elle ne peut se passer d'alimentation sous peine de voir les informations effacées irrémédiablement.
Orbital angular momentum of lightThe orbital angular momentum of light (OAM) is the component of angular momentum of a light beam that is dependent on the field spatial distribution, and not on the polarization. It can be further split into an internal and an external OAM. The internal OAM is an origin-independent angular momentum of a light beam that can be associated with a helical or twisted wavefront. The external OAM is the origin-dependent angular momentum that can be obtained as cross product of the light beam position (center of the beam) and its total linear momentum.
Silicium-germaniumLes alliages silicium-germanium forment une famille de composés de formule GexSi1-x, utilisés en tant que semi-conducteurs dans des transistors. Ces alliages possèdent également de bonnes caractéristiques thermoélectriques aux hautes températures (au-dessus de ) et sont notamment utilisés pour la génération d’électricité dans le domaine spatial. Ce sont par exemple des alliages de ce type qui sont utilisés pour l' des sondes Voyager. Transistor Thermoélectricité Catégorie:Composé du silicium Catégorie:Comp
Angular momentum of lightThe angular momentum of light is a vector quantity that expresses the amount of dynamical rotation present in the electromagnetic field of the light. While traveling approximately in a straight line, a beam of light can also be rotating (or "spinning, or "twisting) around its own axis. This rotation, while not visible to the naked eye, can be revealed by the interaction of the light beam with matter. There are two distinct forms of rotation of a light beam, one involving its polarization and the other its wavefront shape.
