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Proposal and Performance Analysis of Normally Off n(++) GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs With 1-nm-Thick InAlN Barrier

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On the lateral decomposition, growth mode and defect nucleation in the InxGa1-xAs channel of HEMT devices depending on the growth temperature, well thickness and mismatch

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Photorécepteurs 1,3-1,55 µm obtenus par intégration monolithique de photodiodes p-i-n et de transistors HEMT

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