Topologie (circuits électriques)La topologie d'un circuit électronique est la forme prise par le réseau d'interconnexions des composantes du circuit. Des valeurs différentes des composantes sont considérées comme formant la même topologie. La topologie ne se préoccupe pas de la disposition physique des composantes d'un circuit, ni de leur position sur un schéma électrique (diagramme de circuit). Similairement au concept mathématique de topologie, elle ne se préoccupe que des connexions qui existent entre les composantes.
ÉpitaxieL'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».
Analogie de MaxwellL'analogie d'impédance ou analogie de Maxwell est une méthode de représentation d'un système mécanique par un système électrique analogue. L'avantage de celle-ci est qu'il existe un grand nombre de théories et de techniques d'analyse concernant les systèmes électriques complexes, en particulier dans le domaine des filtres. En convertissant vers une représentation électrique, ces outils du domaine électrique peuvent être directement appliqués à un système mécanique sans modification.
Diffraction des électronsLa diffraction des électrons est une technique utilisée pour l'étude de la matière qui consiste à bombarder d'électrons un échantillon et à observer la figure de diffraction résultante. Ce phénomène se produit en raison de la dualité onde-particule, qui fait qu'une particule matérielle (dans le cas de l'électron incident) peut être décrite comme une onde. Ainsi, un électron peut être considéré comme une onde, comme pour le son ou les vagues à la surface de l'eau. Cette technique est similaire à la diffraction X et à la diffraction de neutrons.
Mobility analogyThe mobility analogy, also called admittance analogy or Firestone analogy, is a method of representing a mechanical system by an analogous electrical system. The advantage of doing this is that there is a large body of theory and analysis techniques concerning complex electrical systems, especially in the field of filters. By converting to an electrical representation, these tools in the electrical domain can be directly applied to a mechanical system without modification.
Analogie électro-mécaniqueL'analogie électro-mécanique est une apparence de similitude entre les grandeurs électriques et mécaniques induite par l'observation des oscillateurs en électricité et en mécanique et par la grande ressemblance entre les équations décrivant l'évolution de ces deux types de systèmes. Elle incite à généraliser les observations faites sur des systèmes simples à l'ensemble des oscillateurs.
TriméthylgalliumLe triméthylgallium (TMG), Ga(CH3)3, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), le phosphure de gallium (GaP), l'antimoniure de gallium (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc. Le TMG est connu pour être pyrophorique, c.à.d.
Cryomicroscopie électroniquevignette|Un microscope électronique en transmission (2003). La cryomicroscopie électronique (cryo-ME) correspond à une technique particulière de préparation d’échantillons biologiques utilisée en microscopie électronique en transmission. Développée au début des années 1980, cette technique permet de réduire les dommages d’irradiation causés par le faisceau d’électrons. Elle permet également de préserver la morphologie et la structure des échantillons.
Arséniure d'aluminiumL’arséniure d'aluminium (AlAs) est un composé chimique d'aluminium et d'arsenic. C'est un matériau semi-conducteur avec presque la même constante de réseau que GaAs et AlGaAs et une bande interdite plus large que GaAs. Il possède les propriétés suivantes : Coefficient de dilatation thermique : 5 μm/(°C*m) Température Debye : 417 K Microdureté : (charge de ) Nombre d'atomes dans : (4.42-0.17x)·1022 Module d'élasticité isostatique : 7.55+0.
Impedance parametersImpedance parameters or Z-parameters (the elements of an impedance matrix or Z-matrix) are properties used in electrical engineering, electronic engineering, and communication systems engineering to describe the electrical behavior of linear electrical networks. They are also used to describe the small-signal (linearized) response of non-linear networks. They are members of a family of similar parameters used in electronic engineering, other examples being: S-parameters, Y-parameters, H-parameters, T-parameters or ABCD-parameters.
