Publication

2.5 lambda microcavity InGaN light-emitting diodes fabricated by a selective dry-etch thinning process

Publications associées (35)

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Connectez-vous pour utiliser Chat avec Graph Search

2.5 lambda microcavity InGaN light-emitting diodes fabricated by a selective dry-etch thinning process

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Study of growth-induced point defects and their impact on InGaN-based optoelectronic devices

GaN vertical power devices on silicon substrates

Diamond on GaN integration for power semiconductor devices with efficient thermal management

III-nitride photonic cavities

AlGaN/GaN Nanowires: from Electron Transport to RF Applications

III-Nitride Semiconductor Photonic Nanocavities on Silicon

GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells

Fabrication defects and grating couplers in III-nitride photonic crystal nanobeam lasers (Conference Presentation)

Calcium impurity as a source of non-radiative recombination in (In,Ga)N layers grown by molecular beam epitaxy

GaN-based photonic crystal cavities on silicon for visible and near infrared applications