Low-voltage surface-normal InGaAsP/InP modulator for optical interconnects

Hatice Altug
2004
Article de conférence

Résumé

We present a quasi-waveguide angled facet electroabsorption modulator with a contrast ratio greater than 3 dB between 1496 nm and 1506 nm for 1 V drive as well as a misalignment tolerance of 30 mum.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/record/220861?ln=fr

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