Mémoire vive dynamiqueLa mémoire vive dynamique (en anglais DRAM pour Dynamic Random Access Memory) est un type de mémoire vive compacte et peu dispendieuse. La simplicité structurelle de la DRAM — un pico-condensateur et un transistor pour un bit — permet d'obtenir une densité élevée. Son inconvénient réside dans les courants de fuite des pico-condensateurs : l'information disparaît à moins que la charge des condensateurs ne soit rafraîchie avec une période de quelques millisecondes. D'où le terme de dynamique.
Computer memoryComputer memory stores information, such as data and programs for immediate use in the computer. The term memory is often synonymous with the term primary storage or main memory. An archaic synonym for memory is store. Computer memory operates at a high speed compared to storage which is slower but less expensive and higher in capacity. Besides storing opened programs, computer memory serves as disk cache and write buffer to improve both reading and writing performance.
Static Random Access Memorythumb|Une SRAM de 1999. La mémoire vive statique (ou SRAM de l'anglais Static Random Access Memory) est un type de mémoire vive utilisant des bascules pour mémoriser les données. Mais contrairement à la mémoire dynamique, elle n'a pas besoin de rafraîchir périodiquement son contenu. Comme la mémoire dynamique, elle est volatile : elle ne peut se passer d'alimentation sous peine de voir les informations effacées irrémédiablement.
Circuit intégréLe circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre. Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories : analogique et numérique.
3D XPointthumb|Schéma de principe de la mémoire 3D XPoint thumb|Intel Optane carte mère M.2 3D XPoint (prononcé en anglais « 3D CrossPoint ») est une technologie de mémoire non volatile annoncée par Intel et Micron en et abandonnée en 2022. La vitesse de fonctionnement et la longévité d'écriture étaient censées être chacune mille fois meilleures que celles de la mémoire flash. Alors que la mémoire NAND utilise les charges électriques et les blocs mémoires pour stocker des données, la mémoire 3D XPoint utilise la résistance électrique et les bits de données, qui peuvent être écrits et lus individuellement.
Design industrielLe design industriel est l'activité qui consiste à imaginer et créer, visualiser et concevoir un objet ou produit (en fonction d'un projet ou dessein, d'un concept ou idée), son dessin (formes, style), ses matériaux (couleurs, textures), ses fonctionnalités (usages), ses valeurs (appropriation), son utilisabilité (confort), son ergonomie (sécurité), avec pour objectifs d'augmenter son attractivité (apparence), sa pertinence (utilité), son efficience (rendement), sa fiabilité (durabilité), en intégrant et ut
Transistorvignette|Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques. C'est le composant actif le plus important des circuits électroniques aussi bien en basse qu'en haute tension : circuits logiques (il permet, assemblé avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes informatiques), amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal Les transistors revêtent une importance particulière dans les circuits intégrés, ce qui rend possible la microélectronique.
Transistor bipolairevignette|Vue interne d'un transistor bipolaire de puissance 2N3055 conçu dans les années 1970. vignette|Transistor bipolaire monté en surface. Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.
Read–modify–writeIn computer science, read–modify–write is a class of atomic operations (such as test-and-set, fetch-and-add, and compare-and-swap) that both read a memory location and write a new value into it simultaneously, either with a completely new value or some function of the previous value. These operations prevent race conditions in multi-threaded applications. Typically they are used to implement mutexes or semaphores. These atomic operations are also heavily used in non-blocking synchronization.
Porte logiquevignette|Composants TTL Une porte logique (gate) est un circuit électronique réalisant des opérations logiques (booléennes) sur une séquence de bits. Cette séquence est donnée par un signal d'entrée modulé en créneau (signal carré), et cadencé de façon précise par un circuit d'horloge, ou quartz. Les opérations logiques sont réalisées électriquement par une combinaison de bascules ou inverseurs, à base de transistors. Étant donné les capacités d'intégration en électronique, un circuit intégré comporte généralement plusieurs portes à la fois.
