Imagerie à grande gamme dynamiqueL'imagerie à grande gamme dynamique (ou imagerie large-gamme) (high-dynamic-range imaging ou HDRI) regroupe un ensemble de techniques numériques permettant de présenter une image fixe ou animée d'une scène qui présente, dans ses diverses parties, des niveaux très différents de luminosité. Une se constitue à partir de pixels auxquels est associé un triplet de valeurs qui en indique la luminosité et la couleur. Le rendu à grande dynamique concerne des fichiers d'origine où les pixels ont plus de valeurs possibles que les écrans ou imprimantes du rendu.
Capteur photographiqueUn capteur photographique est un composant électronique photosensible servant à convertir un rayonnement électromagnétique (UV, visible ou IR) en un signal électrique analogique. Ce signal est ensuite amplifié, puis numérisé par un convertisseur analogique-numérique et enfin traité pour obtenir une . Le capteur est donc le composant de base des appareils photo et des caméras numériques, l'équivalent du film (ou pellicule) en photographie argentique.
Inhibiteur de la recapture de la dopamine, de la sérotonine et de la noradrénalinevignette|Un inhibiteur triple. Les inhibiteurs de la recapture de la dopamine, de la sérotonine et de la noradrénaline, aussi appelés inhibiteurs triples, sont une classe d'antidépresseurs qui vont ralentir la recapture de la dopamine par son transporteur : le DAT, la recapture de la sérotonine par le SERT, et la recapture de la noradrénaline par son transporteur : le NET, ce qui va augmenter leur taux dans la fente synaptique. Cette classe de médicaments n'existe pas encore en France mais existe aux États-Unis.
Metal gateA metal gate, in the context of a lateral metal–oxide–semiconductor (MOS) stack, is the gate electrode separated by an oxide from the transistor's channel – the gate material is made from a metal. In most MOS transistors since about the mid 1970s, the "M" for metal has been replaced by a non-metal gate material. The first MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) was made by Mohamed Atalla and Dawon Kahng at Bell Labs in 1959, and demonstrated in 1960. They used silicon as channel material and a non-self-aligned aluminum gate.
Inhibiteur de la recapturedroite|vignette|160x160px| L'Escitalopram, un inhibiteur sélectif de la recapture de la sérotonine (ISRS) utilisé comme antidépresseur. Un inhibiteur de la recapture, ou du recaptage, (aussi connu sous le nom de modulateur de la recapture) est une substance psychoactive, médicamenteuse ou non, qui inhibe la recapture d'un neurotransmetteur en inhibant l'action d'un transporteur membranaire. En tant normal, le transporteur membranaire recapture dans le neurone pré-synaptique le neurotransmetteur qui se trouve dans la synapse.
DépresseurUn dépresseur (du latin : depressus) est une substance qui ralentit l'activité du système nerveux central, réduit l'activité fonctionnelle et la coordination motrice. Il a un effet anxiolytique, hypnotique ou sédatif. Les dépresseurs les plus connus sont les neuroleptiques, l'alcool, les opiacés, les narcotiques illicites, les barbituriques et les benzodiazépines.
SeproxetineSeproxetine, also known as (S)-norfluoxetine, is a selective serotonin reuptake inhibitor (SSRI). It is the S enantiomer of norfluoxetine, the main active metabolite of the widely used antidepressant fluoxetine; but little is known about its pharmacological actions. Seproxetine was being investigated by Eli Lilly and Company as an antidepressant; however, cardiac side effects were discovered and development was discontinued.
Transistor à effet de champ à grille métal-oxydethumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.
Mesure de courantEn génie électrique, une mesure de courant est une des techniques utilisées pour évaluer la valeur d'un courant électrique dans un circuit électrique (exprimé en ampères). Il existe plusieurs méthodes de mesure de courant, le choix de l'une d'entre elles dépend des différentes exigences : la nature du courant, continu ou alternatif, la grandeur du courant à mesurer (du picoampère à des dizaines de milliers d'ampères), de la complexité et de l'impact de la mesure sur le fonctionnement du système, du coût, de la précision, de la bande passante, de robustesse, etc.
Multigate deviceA multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET).
