We report on the low-temperature growth of heavily Si-doped (>10(20) cm(-3)) n(+)-type GaN by N-rich ammonia molecular beam epitaxy (MBE) with very low bulk resistivity (
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L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles.
Le nitrure de gallium est un à gap direct de à . De formule chimique GaN, c'est un matériau très dur de structure cristalline de type wurtzite (système hexagonal , ) avec pour paramètres et . Il cristallise également dans le système cubique avec la structure blende (polymorphe ) selon le groupe d'espace (). Il s'agit d'un semiconducteur à large bande interdite couramment utilisé pour la fabrication de diodes électroluminescentes () bleues et dont les propriétés électroniques et optiques permettent le développement d'applications optoélectroniques, hautes fréquences et d'électronique de puissance.
Un composant électronique est un élément destiné à être assemblé avec d'autres afin de réaliser une ou plusieurs fonctions électroniques. Les composants forment de très nombreux types et catégories, ils répondent à divers standards de l'industrie aussi bien pour leurs caractéristiques électriques que pour leurs caractéristiques géométriques. Leur assemblage est préalablement défini par un schéma d'implantation d'un circuit électronique. alt=Un transistor, composant actif, boîtier ouvert.
Recombination at metal/semiconductor interfaces represents the main limitation in mainstream c-Si solar cells, primarily based on the passivated emitter and rear cell (PERC) concept. Full-area passivating contacts based on SiOx/poly-Si stacks are a candida ...
This thesis reports on the study and use of low temperature processes for the deposition of indium gallium nitride (InGaN) thin films in order to alleviate some of the present drawbacks of its monolitic deposition on silicon for photovoltaic applications. ...
In recent years, the automotive industry has aspired to bring self-driving vehicles to the general
public and light detection and ranging (LiDAR) sensors have emerged as the preferred solution for
car vision systems. At present, LiDAR technologies employ e ...
