L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles.
La caractéristique principale de ce procédé est que la couche que l'on fait croître est monocristalline (une seule orientation cristalline dans tout son volume) et reproduit l'orientation du substrat, lui-même monocristallin; c'est ce qu'évoque le nom "épitaxie", composé des racines grecques ἐπί (sur) et τάξις (ordre, arrangement).
Le substrat est chauffé et balayé par un gaz vecteur. Le gaz vecteur permet d'amener les éléments à épitaxier sur le substrat. Les éléments à épitaxier sont sous forme de molécules appelées précurseurs. Si les conditions sont bien choisies, les molécules se pyrolysent au contact du substrat chauffé, les éléments souhaités se déposent sur le substrat, et les résidus des précurseurs sont évacués par le gaz vecteur.
Le gaz vecteur est le plus souvent l'hydrogène, et parfois l'azote. Les températures de croissance sont de l'ordre de 600 °C pour les III-V "classiques", et 800 °C pour les nitrures d'éléments III.
Les précurseurs des éléments III, (ex., le gallium) et de certains dopants sont des organométalliques (ex., le triméthylgallium). Les précurseurs des éléments V (ex., l'arsenic) et de certains dopants sont le plus souvent des hydrures (ex., l'arsine). En raison de la forte toxicité de certains hydrures, il peut être préférable de les remplacer par des organométalliques (ex. triéthylarsine).
L'EPVOM est une forme de dépôt chimique en phase vapeur (le plus souvent désigné par l'acronyme anglais CVD).
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L'arséniure d'indium-gallium (InGaAs) (ou arséniure de gallium-indium, GaInAs) est un alliage ternaire (composé chimique) d'arséniure d'indium (InAs) et d'arséniure de gallium (GaAs). L'indium et le gallium sont des éléments du (groupe III) du tableau périodique tandis que l'arsenic est un élément du (groupe V). Les alliages de ces éléments chimiques sont appelés composés "III-V". InGaAs a des propriétés intermédiaires entre celles de GaAs et de InAs. InGaAs est un semi-conducteur à température ambiante avec des applications en électronique et en photonique.
Le tellurure de mercure-cadmium (HgCdTe), souvent appelé « mercatel » (abréviation du nom anglophone mercury cadmium telluride) est un alliage de tellurure de mercure (HgTe) et de tellurure de cadmium (CdTe). Le premier étant un semi-métal (pas de gap) et le second un semi-conducteur binaire de gap à température ambiante, le tellurure de mercure-cadmium est un semi-conducteur ternaire dont le gap varie entre 0 et , en fonction de la proportion de mercure et de cadmium.
Le triméthylgallium (TMG), Ga(CH3)3, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), le phosphure de gallium (GaP), l'antimoniure de gallium (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc. Le TMG est connu pour être pyrophorique, c.à.d.
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