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Sub-20nm gaps in HSQ for ultra-scaled nanoelectronic devices

Maneesha Rupakula, Wolfgang Amadeus Vitale

We build sub-20 nm gaps in hydrogen silsesquioxane (HSQ) by electron beam lithography, to enable nano-template structures for selective epitaxial growth of Ge or III-V semiconductors for ultra-scaled electronic applications [1]. Gaps of this order have bee ...
2016

Intensity and phase fields behind phase-shifting masks studied with high-resolution interference microscopy

Hans Peter Herzig, Toralf Scharf, Myun Sik Kim, Ali Naqavi, Krishnaparvathy Puthankovilakam

We try to find out the details of how light fields behind the structures of photomasks develop in order to determine the best conditions and designs for proximity printing. The parameters that we use approach real situations like structure printing at prox ...
SPIE-Intl Soc Optical Eng2016

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