Effet Magnus

L’effet Magnus, encore nommé effet Magnus-Robins, étudié par Heinrich Gustav Magnus, est un phénomène aérodynamique qui explique la déviation que subit un objet en rotation se déplaçant dans un fluide (la trajectoire de l'objet étant différente de la pseudo-parabole habituelle et pouvant, pour certaines rotations, sortir du plan où se développerait une trajectoire habituelle). Lorsque l'effet Magnus s'applique sur des cylindres, il peut être utilisé comme moyen de sustentation ou de propulsion. Histoire L’Effet Magnus a été décrit en février 1672 et finement analysé par Isaac Newton dans une de ses lettres Le britannique Benjamin Robins met en lumière en 1742 et effectue les premières mesures de cet effet aérodynamique. Cependant cette découverte, boudée par Euler, tombe dans l'oubli, jusqu'à ce que Heinrich Gustav Magnus redécouvre l'effet auquel il attache longtemps son seul nom. En 1877, usant de la superposition classique de deux d’écoulements potentiels (écoulemen

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An evaluation of surface micro- and mesoplastic pollution in pelagic ecosystems of the Western Mediterranean Sea

Luiz Felippe De Alencastro, Florian Faure, Pascal Hagmann

This study examines the distribution, abundance and characteristics of surface micro- and mesoplastic debris in the Western Mediterranean Sea. 41 samples were collected in 2011 (summer) and 2012 (summer). Results, firstly, revealed that micro- (

Springer Heidelberg2015

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Integration of Intra Chip Stack Fluidic Cooling using Thin-Layer Solder Bonding

Yusuf Leblebici, Yassir Madhour, Bruno Michel, John Richard Thome, Michail Zervas

Three-dimensional (3D) stacking of integrated circuit (IC) dies by vertical integration increases system density and package functionality. The vertical integration of IC dies by area-array Through-Silicon-Vias (TSVs) reduces the length of global interconnects and accordingly the signal delay time. On the other hand, the ongoing miniaturization trend of ICs results in constantly increasing chip-level power densities. Thus, the development of new chip cooling concepts is of utmost importance. Therefore, scalable cooling solutions for chip stacks, such as interlayer cooling, need to be investigated. This paper presents a new concept for the integration of intra chip stack fluidic cooling, namely die-embedded microchannels for single- and twophase thermal management, using a patterned thin-layer eutectic solder bonding technique for the stack assembly. Results showed the successful fabrication of 5-layer chip stacks with embedded microchannels and high aspect ratio TSVs. Optical inspections demonstrated the proper bond line formation and direct current (DC) daisy-chain electrical tests indicated the successful combination of TSVs with thin-layer solder interconnects. Mechanical shear tests on die-on-die bonded samples showed the strength of the patterned thin-layer solder bond (16MPa). An added solder ring-pad component to seal the electrically active pad from any conductive liquid coolant was also investigated and reflow tests on such geometries showed the appearance of a balling effect along the solder ring line. This balling was found to be mitigated when the ring aspect ratio (deposited solder height to ring width ratio) was kept below the experimentally observed critical value of 0.65.

IEEE2013

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Theory of Si 2p core-level shifts at the Si(001)-SiO2 interface

Roberto Car, Alfredo Pasquarello

A first-principles investigation of Si 2p core-level shifts at the Si(001)-SiO2 interface is presented. We introduce several relaxed interface models obtained by attaching different crystalline forms of SiO2 to Si(001). These model structures contain the minimal transition region required to accommodate the three intermediate oxidation states of silicon, in accord with photoemission experiments. The bond density mismatch is fixed by saturating all the bonds, as required by electrical measurements, Calculated core shifts are primarily affected by the number of nearest-neighbor oxygen atoms, showing a linear dependence. This result confirms the traditional interpretation of the photoemission spectra based on a charge-transfer model. Core relaxation plays a significant role accounting for more than 50% of the total shifts. The shifts are found to be essentially insensitive to second and further neighbors in the structure. Structural deformations, such as those implied by the distribution of Si-O bond lengths in a-SiO2, yield distributions of core-level shifts that an too small to account for the observed width of the photoemission peaks. In the oxide, we observe a spatial dependence of the Si+4 shifts with distance from the interface plane. We relate this behavior to the dielectric discontinuity at the interface and suggest that this effect explains the shift of the Si+4 with oxide thickness, observed in photoemission experiments.

1996

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Dynamique des fluides

La dynamique des fluides (hydrodynamique ou aérodynamique), est l'étude des mouvements des fluides, qu'ils soient liquides ou gazeux. Elle fait partie de la mécanique des fluides avec l'hydrostatiqu

Aérodynamique

Laérodynamique () est une branche de la dynamique des fluides qui étudie les écoulements d'air, et leurs effets sur des éléments solides. Dans des domaines d'application tel que le design, des élémen

Portance (aérodynamique)

La portance aérodynamique est la composante de la force subie par un corps en mouvement dans un fluide qui s'exerce perpendiculairement à la direction du mouvement (au vent relatif). Cela concerne

PHYS-201(b): General physics : electromagnetism

Introduction à la mécanique des fluides, à l'électromagnétisme et aux phénomènes ondulatoires

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This course will provide the fluid dynamic background to understand how air flows around two- and three-dimensional wings and bodies and to understand the aerodynamics forces and moments acting on the objects as a result of the air flow.

ME-462: Cavitation and interface phenomena

Introduction, concepts de base; implosion d'une bulle de cavitation; dynamique des cavits attachées; cavitation dans les structures tourbillonnaires; applications industrielles.