Rafraîchissement de la mémoire

Le rafraîchissement de la mémoire est un processus qui consiste à lire périodiquement les informations d'une mémoire d'ordinateur et les réécrire immédiatement sans modifications, dans le but de prévenir la perte de ces informations. Le rafraîchissement de la mémoire est requis dans les mémoires de type DRAM (dynamic random access memory), le type de mémoire vive le plus largement utilisé, et le rafraîchissement est une des caractéristiques principales de ce type de mémoire. Dans une mémoire DRAM, un bit de données est codé par la présence ou l'absence d'une charge électrique sur un petit condensateur. Avec le temps, les charges électriques des condensateurs se dispersent et, sans rafraîchissement, les données seraient perdues. Pour éviter cette perte, un circuit lit périodiquement chaque bit de donnée et le réécrit, restaurant ainsi la charge du condensateur à son niveau initial. Chaque opération de rafraîchissement de la mémoire régénère une nouvelle zone de la mémoire, parcourant ainsi toutes les zones de la mémoire. Ce procédé est réalisé automatiquement, en arrière-plan, par un circuit intégré à la mémoire, aussi longtemps que l'ordinateur est sous tension. Ce procédé ne requiert aucune intervention de l'utilisateur et n'est pas visible par l'utilisateur. Pendant le rafraîchissement, la mémoire n'est pas disponible pour les opérations de lecture et d'écriture, mais dans les mémoires modernes, cela ne ralentit pas la mémoire de façon significative. Il existe des mémoires qui ne nécessitent pas de rafraîchissement : les mémoires SRAM (static random access memory). Les mémoires SRAM prennent plus de place sur les puces électroniques, car chaque cellule de mémoire SRAM nécessite de 4 à 6 transistors, comparativement à un seul transistor et un condensateur pour la mémoire DRAM. Pour cette raison, à superficie égale, la capacité de stockage des mémoires SRAM est bien moindre que pour la mémoire DRAM, de sorte que la mémoire SRAM est beaucoup plus coûteuse par bit.