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La mémoire à tores magnétiques fut la forme dominante de mémoire vive des ordinateurs durant 20 ans (de 1955 à 1975). Cette mémoire était composée des petits tores (anneaux) de ferrite traversés par des fils qui servaient à y écrire et y lire des informations. thumb|Schéma simplifié d'un tore avec fils d'écriture et de lecture Chaque tore correspond à un bit de donnée. Les tores peuvent être magnétisés dans deux directions différentes (sens horaire et antihoraire). Le bit enregistré dans le tore signifie zéro ou un selon le sens du champ magnétique. L'écriture du tore s'effectue en faisant passer un courant électrique Im dans le fil d'écriture (un seul fil est nécessaire pour l'écriture). Le courant doit être suffisamment élevé, pour que le champ dans le circuit magnétique dépasse l'intensité du champ coercitif et crée une magnétisation rémanente et saturée. Ainsi le signe de la rémanence correspond à la valeur du bit, ou . thumb|Procédure de lecture illustrée par la courbe d'hystérésis La lecture est effectuée en envoyant de nouveau un courant de lecture Im dans l'un des fils, qui permet de détecter la magnétisation actuelle du tore. Selon l'état du tore, ce courant va inverser le champ magnétique dans le tore ou pas. Ce changement du champ magnétique induit une tension UI dans le second fil qui peut être mesurée. Cette lecture du contenu du tore est destructrice. Elle remet le contenu à zéro, ce qui nécessite de réécrire le contenu antérieur du tore pour rétablir sa valeur. thumb|Diagramme d'une mémoire à tores magnétiques de 4 x 4 bits. Les flèches indiquent le sens du courant pour une écriture. Afin de réduire le nombre de fils et d'amplificateurs pour l'écriture et la lecture, ainsi que le besoin en place, pour toute application pratique, les tores sont arrangés en forme de matrice. Chaque tore est traversé par deux fils, X et Y, pour l'adressage. Un fil de chaque dimension est alimenté à la fois. Lors de l'écriture, seulement le courant dans le tore au croisement des deux fils sera suffisant pour induire un champ suffisant pour changer son état de magnétisation.
Andreas Peter Burg, Robert Giterman, Halil Andac Yigit, Emmanuel Nieto Casarrubias
Dirk Grundler, Andrea Mucchietto, Korbinian Baumgärtl
David Atienza Alonso, Giovanni Ansaloni, Alexandre Sébastien Julien Levisse, Marco Antonio Rios, Flavio Ponzina