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Explore l'impact de la contrainte sur la structure de liaison dans les semi-conducteurs et ses implications pratiques pour l'ingénierie des dispositifs.
Explore l'effet corporel, la modulation de la longueur des canaux et la conduction des sous-seuils dans les MOSFET, cruciale pour la conception des circuits.
Explore le modèle basé sur la charge EKV pour les transistors MOS, en mettant l'accent sur son application dans la conception de circuits basse tension et basse puissance.
Explore les opérations MOSFET, la modélisation et les compromis dans la conception de circuits intégrés analogiques, en mettant l'accent sur la polarisation, le mode de fonctionnement et les paramètres de petit signal.
Explore la spécialisation matérielle, les avantages ASIC par rapport aux processeurs et les stratégies pour atteindre des efficacités de type ASIC dans la conception des puces.
Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
Couvre les transistors BJT et MOS, les amplificateurs, les paires différentielles, les exercices pratiques et les étapes en cascade dans la conception IC.
Couvre les bases de la conception VLSI, y compris la mise à l'échelle, la technologie, le fonctionnement MOSFET et la mise en œuvre du circuit logique.
