Modèle MOS pour les petits signaux: Simplifier l'analyse des circuits analogiques

Cette séance de cours couvre le modèle à petit signal des dispositifs MOS, en mettant l'accent sur la simplification des calculs autour du point d'exploitation. Il explique comment ce modèle peut être dérivé pour les MOSFET biaisés dans la région de saturation, y compris la résistance linéaire et les capacités impliquées. La séance de cours discute également du modèle à petit signal avec effet corporel, mettant en évidence l'impact des différentes tensions sur le comportement des dispositifs MOS.