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Cette séance de cours fournit un compte rendu de la physique de la jonction p-n, en commençant par le contexte historique et les étapes de fabrication. Il décrit les propriétés d'une jonction p-n abrupte à l'équilibre thermique, la formation d'une région de charge d'espace et la dérivation du champ électrique et du potentiel intégrés. La séance de cours couvre également les courants de diffusion et de dérive, les considérations électrostatiques et la largeur de la région de charge d'espace. Des exemples sont donnés pour le silicium, et la séance de cours se penche sur la lithographie optique, les nœuds de la technologie des transistors et le rôle de la lithographie dans la fabrication des circuits intégrés.