Couvre la tension de claquage dans les transistors NPN, en se concentrant sur l'effet d'avalanche dans les configurations de base commune et d'émetteur commun.
Couvre le comportement des diodes PN réelles, en se concentrant sur les courants de génération et de recombinaison et leurs implications dans diverses conditions de fonctionnement.
Couvre les origines et les calculs du bruit thermique et de tir dans les diodes et les transistors, en mettant l'accent sur leurs implications dans les composants électroniques.
Explique l'analyse des diodes de jonction p-n idéales, en se concentrant sur les calculs de courant et le comportement des porteurs minoritaires dans différentes conditions de polarisation.
