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Explore les effets de la non-linéarité dans les transistors MOS RF, couvrant l'entrée bicolore, l'intermodulation et le point d'interception du troisième ordre.
Explore le dopage électrostatique dans la nanoélectronique à base de carbone, en soulignant l'importance de la faible densité d'états pour de nouveaux concepts de dispositifs.
Explore la création de puces informatiques en trois dimensions, en se concentrant sur la performance, la consommation d'énergie et les solutions de câblage.
Explore le retard de l'onduleur, le dimensionnement, les capacités parasites et l'impact de l'appareil sur l'optimisation du retard dans les circuits numériques.
Se penche sur le potentiel des matériaux bidimensionnels pour les applications électroniques, couvrant leurs propriétés, les défis et les perspectives d'avenir.
