Cette séance de cours couvre l'examen des dispositifs de transistor de jonction bipolaire (BJT) et de semiconducteur métal-oxydé (MOS), y compris des sujets tels que la jonction P-N, les modes de fonctionnement BJT, la physique des dispositifs MOS, la tension de seuil et la dérivation des caractéristiques I/V en détail.