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Cette séance de cours couvre les mécanismes du mouvement de dislocation dans les structures cristallines, y compris les mouvements de glisse et de montée. Il se penche également sur les concepts d'interfaces souples et sessiles, ainsi que sur les modèles de croissance des films minces dans la technologie moderne, tels que l'épitaxie par faisceau moléculaire et le dépôt chimique en phase vapeur. La présentation explore le contrôle de la morphologie des films minces et des différents modèles de croissance, y compris Frank-Van der Merwe, Volmer-Weber et Stranski-Krastanov. La discussion s'étend à la croissance tendue et non tendue, à l'agrégation limitée par diffusion, et se termine par un aperçu de la nature des interfaces et des dislocations dans la croissance des couches minces.