Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Couvre les pertes dynamiques dans les onduleurs CMOS, en se concentrant sur la dissipation d'énergie et les considérations de conception pour un fonctionnement efficace.
Couvre la tension de claquage dans les transistors NPN, en se concentrant sur l'effet d'avalanche dans les configurations de base commune et d'émetteur commun.
Couvre les fondamentaux des circuits intégrés CMOS analogiques, en mettant l'accent sur les principes de conception au niveau des transistors et l'impact historique de la technologie CMOS.
