Résistance de contact: Stratégies et mesures

Cette séance de cours couvre le concept de résistance au contact en pratique, y compris les résistances de contact individuelles, la résistance totale et la résistance quantique. Il traite de la technique à 4 sondes et des mesures de la ligne de transmission pour la résistance au contact. Les stratégies de réduction de la résistance au contact, comme l'ingénierie de phase, le dopage et les contacts de bord, sont explorées. La séance de cours se penche également sur le transfert direct des contacts sur les matériaux 2D et l'extraction des hauteurs de la barrière de Schottky. Les examens expérimentaux et la résistance quantique des conducteurs balistiques sont également mis en évidence.

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Séances de cours associées (35)

Concepts associés (48)

EE-567: Semiconductor devices II

Students will learn about understanding the fundamentals and applications of emerging nanoscale devices, materials and concepts. Remark: at least 5 students should be enrolled for the course to be g

Métal

En chimie, les métaux sont des matériaux dont les atomes sont unis par des liaisons métalliques. Il s'agit de corps simples ou d'alliages le plus souvent durs, opaques, brillants, bons conducteurs de la chaleur et de l'électricité. Ils sont généralement malléables, c'est-à-dire qu'ils peuvent être martelés ou pressés pour leur faire changer de forme sans les fissurer, ni les briser. De nombreuses substances qui ne sont pas classées comme métalliques à pression atmosphérique peuvent acquérir des propriétés métalliques lorsqu'elles sont soumises à des pressions élevées.

Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde

thumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.

Source de courant

Une source de courant est un dispositif pouvant produire un courant électrique constant fonctionnant sur une plage de tension donnée. vignette|Source de courant parfaite (rouge) ; source de courant idéale sur une plage de tension (vert) ; source de courant avec résistance en parallèle (turquoise). Ce dispositif produit un courant stable I quelle que soit la tension à ses bornes. Une source de courant réelle a une résistance interne en parallèle de très grande valeur (infinie dans le cas d'une source idéale).

Dopage (semi-conducteur)

Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité. Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau. Ces atomes vont se substituer à certains atomes initiaux et ainsi introduire davantage d'électrons ou de trous.

Metal–semiconductor junction

In solid-state physics, a metal–semiconductor (M–S) junction is a type of electrical junction in which a metal comes in close contact with a semiconductor material. It is the oldest practical semiconductor device. M–S junctions can either be rectifying or non-rectifying. The rectifying metal–semiconductor junction forms a Schottky barrier, making a device known as a Schottky diode, while the non-rectifying junction is called an ohmic contact.

Contacts: Dispositifs semi-conducteurs II EE-567: Semiconductor devices II

Explore les dispositifs semi-conducteurs développement historique, résistance au contact, caractéristiques FET, limite quantique, contacts de matériaux 2D, et mécanismes de charge-injection.

Dispositifs semi-conducteurs II: Modélisation de la résistance au contact EE-567: Semiconductor devices II

Explore la modélisation de la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, en mettant l'accent sur le calcul de la tension de la porte et l'analyse des défauts.

Densité des États dans les dispositifs semi-conducteurs EE-567: Semiconductor devices II

Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.

Dispositifs semi-conducteurs II: Défauts d'ingénierie EE-567: Semiconductor devices II

Couvre l'analyse des mesures et des défauts techniques dans les dispositifs à semi-conducteurs, y compris la densité des états et l'étude des défauts.

Circuits de courant direct : lois et résistances de Kirchhoff PHYS-201(d): General physics: electromagnetism

Couvre les courants DC, les résistances, les condensateurs, les lois de Kirchhoff et la force électromotive dans les circuits électriques.