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Fournit une vue d'ensemble de la physique des jonctions métal-semiconducteur, y compris la fonction de travail, la barrière Schottky, les contacts Ohmic et les hétérojonctions.
Discute des jonctions métal-semi-conducteur, de leur contexte historique, de l'équilibre thermodynamique et des principes régissant leur fonctionnement dans la technologie des semi-conducteurs.
Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.
Explore la résistance au contact, la résistance quantique, les techniques de mesure, les stratégies de réduction et les examens expérimentaux dans les matériaux 2D.
Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
Explore la densité des états dans les dispositifs semi-conducteurs, couvrant le gaz électronique, les bandes d'énergie, la distribution de Fermi-Dirac et les structures de bandes.
Couvre la conception et l'application des amplificateurs JFET, en se concentrant sur la polarisation, les caractéristiques de gain et des exemples pratiques impliquant des photodiodes.