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Cette séance de cours couvre les effets de deuxième ordre dans les MOSFETs, en mettant l'accent sur l'effet corporel et la modulation de la longueur du canal. Il explique comment la tension de seuil varie en fonction de la différence de potentiel source-bulk et de la longueur du canal. De plus, il se replie dans la conduction sous-seuil et l'impact des limitations de tension de source de portail sur les performances MOSFET. La disposition des dispositifs MOS et les considérations pour minimiser la résistance et la capacité dans les interconnexions sont également discutées.