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Cette séance de cours couvre le modèle basé sur la charge EKV pour les transistors MOS, en se concentrant sur le modèle EKV simplifié et son application dans la conception de circuits basse tension et basse puissance. Les sujets abordés comprennent la modélisation du courant de drain, la transconductance, l'adaptation des transistors, la linéarité et l'analyse de la distorsion. La présentation traite également de l'impact de la réduction d'échelle sur les paramètres de désadaptation des transistors et conclut avec des informations sur la linéarité du courant de drain et l'analyse bitonale.