Etch Stop Techniques

Cette séance de cours couvre les techniques d'arrêt de gravure en micro et nanofabrication, y compris l'utilisation de l'implantation B pour réduire le taux de gravure dans les solutions à base de KOH, les arrêts de gravure électrochimiques et des exemples de microusinage en vrac. L'implantation B dans Si conduit à une chute du niveau de Si Fermi, entraînant l'arrêt de la gravure. Différents bains de gravure anisotropes présentent des effets similaires sur l'implantation B. Les butées de gravure électrochimique impliquent l'application d'une tension de polarisation à la gravure sélective du Si dopé p. Les techniques de micro-usinage en vrac sont mises en évidence par la gravure KOH de plaquettes de silicium avec diverses configurations de masque, ce qui entraîne la formation de pyramides inversées ou de «toits».