Nanosciences: Magnétorésistance Géante

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Description

Cette séance de cours couvre les concepts de magnétorésistance géante et de magnétorésistance tunnel dans le contexte de la spintronique, en se concentrant sur les technologies de stockage d'informations telles que les disques durs HDD, le stockage magnétique haute densité et les types de mémoire tels que la DRAM et la MRAM. La présentation explore également les avantages de la spintronique par rapport à l'électronique traditionnelle, en particulier en termes de consommation d'énergie et de rétention de la mémoire.

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Séances de cours associées (17)

Concepts associés (70)

Spintronique

La spintronique, électronique de spin ou magnétoélectronique, est une technique qui exploite la propriété quantique du spin des électrons dans le but de stocker des informations. L’article Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices publié par Albert Fert et son équipe en 1988 est considéré comme l’acte de naissance de la spintronique. L'électronique classique repose sur une propriété essentielle d'une particule élémentaire (électron), sa charge électrique.

Magnétorésistance à effet tunnel

En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété qui apparaît dans une jonction tunnel. Une jonction tunnel est, sous sa forme la plus simple, une mince barrière isolante entre deux électrodes conductrices. Le passage du courant se fait par effet tunnel à travers cette barrière. Pour qu'un courant tunnel soit possible l'épaisseur de cette barrière ne doit pas excéder 1 à 2 nanomètres.

Memory consolidation

Memory consolidation is a category of processes that stabilize a memory trace after its initial acquisition. A memory trace is a change in the nervous system caused by memorizing something. Consolidation is distinguished into two specific processes. The first, synaptic consolidation, which is thought to correspond to late-phase long-term potentiation, occurs on a small scale in the synaptic connections and neural circuits within the first few hours after learning.

Autobiographical memory

Autobiographical memory (AM) is a memory system consisting of episodes recollected from an individual's life, based on a combination of episodic (personal experiences and specific objects, people and events experienced at particular time and place) and semantic (general knowledge and facts about the world) memory. It is thus a type of explicit memory. Conway and Pleydell-Pearce (2000) proposed that autobiographical memory is constructed within a self-memory system (SMS), a conceptual model composed of an autobiographical knowledge base and the working self.

Memory error

Memory gaps and errors refer to the incorrect recall, or complete loss, of information in the memory system for a specific detail and/or event. Memory errors may include remembering events that never occurred, or remembering them differently from the way they actually happened. These errors or gaps can occur due to a number of different reasons, including the emotional involvement in the situation, expectations and environmental changes.