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Publications associées (14)

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Stress-modulated composition in the vicinity of dislocations in nearly lattice matched AlxIn1-x N/GaN heterostructures: A possible explanation of defect insensitivity

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Marco Cantoni, Eric Feltin, Pierre Stadelmann, Anas Mouti, Jean-Luc Rouvière

Evidence of composition fluctuations around threading dislocations at scales ranging from atomic distances to tens of nanometers is provided by z-contrast imaging, strain measurement, and energy dispersive x-ray spectroscopy in AlxIn1-x N/GaN heterostructu ...

2011

Biexciton emission and crystalline quality of ZnO nano-objects

Jean-Philippe Ansermet, Benoît Marie Joseph Deveaud, Jean-Daniel Ganière, Pierre Stadelmann, Pierre Michel Corfdir, Anas Mouti, Elisa Papa

The design of cost-effective standards for the quality of nano-objects is currently a key issue toward their massive use for optoelectronic applications. The observation by photoluminescence of narrow excitonic and biexcitonic emission lines in semiconduct ...

Institute of Physics2011

Defect Insensitive Light Emission in Blue Diode Materials Investigated by Electron Microscopy and Transmission Cathodoluminescence

We study in this thesis the structural origin of defect insensitive light emission in indium containing group-III nitride ternary alloys grown on sapphire, which are the active materials for the commercially available high brightness blue diodes. These str ...

EPFL2011