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Pierre Stadelmann
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Cours enseignés par cette personne (1)
MSE-735: Scanning and Analytical Transmission Electron Microscopy
This intensive course discusses advanced TEM techniques such as: scanning TEM; analytical TEM using EELS and EDX; aberration corrected imaging; and image simulation. It is intended for researchers who
Publications associées (25)
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Electronic structure of Mg2Si by combining electron diffraction and first-principles calculations
We have used accurate convergent beam electron diffraction to determine the structure factors of the reflections most sensitive to the valence-electron distribution in Mg2Si. The experimental values agree well with calculations of the structure factors bas ...
2012One-dimensional exciton luminescence induced by extended defects in nonpolar GaN/(Al,Ga)N quantum wells
Nicolas Grandjean, Benoît Marie Joseph Deveaud, Raphaël Butté, Jacques Levrat, Pierre Stadelmann, Jean-Daniel Ganière, Denis Martin, Pierre Michel Corfdir, Tiankai Zhu, Yadira Arroyo Rojas Dasilva
In this study, we present the optical properties of nonpolar GaN/(Al,Ga)N single quantum wells (QWs) grown on either a- or m-plane GaN templates for Al contents set below 15%. In order to reduce the density of extended defects, the templates have been proc ...
Institute of Physics2011Defects in a-GaN grown on r-sapphire by hydride vapor phase epitaxy
Nicolas Grandjean, Pierre Stadelmann, Denis Martin, Tiankai Zhu
Non-polar a-GaN films grown on r-sapphire by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) are studied using transmission electron microscopy (TEM). Despite the small lattice mismatch in a-GaN ([1 0 (1) over bar 0] similar to 1.1% and [0 00 1] similar to 16%), high d ...
2011