Épitaxie en phase vapeur aux organométalliquesL'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles.
AzoteL'azote est l'élément chimique de numéro atomique 7, de symbole N (du latin nitrogenium). C'est la tête de file du groupe des pnictogènes. Dans le langage courant, l'azote désigne le corps simple N (diazote), constituant majoritaire de l'atmosphère terrestre, représentant presque les 4/ de l'air (78,06 %, en volume). L'azote est le constituant la croûte terrestre par ordre d'importance.
AmmoniacL'ammoniac est un composé chimique de formule (du groupe générique des nitrures d'hydrogène). Dans les conditions normales de température et de pression, c'est un gaz noté gaz. Il est incolore et irritant, d'odeur piquante à faible dose ; il brûle les yeux et les poumons en concentration plus élevée. Il est industriellement produit par le procédé Haber-Bosch à partir de diazote et de dihydrogène. C'est l'un des composés les plus synthétisés au monde, utilisé comme réfrigérant, et pour la synthèse de nombreux autres composés (dont un grand tonnage d'engrais).
Bande interditeredresse=.9|vignette|Bandes d'un semiconducteur. La bande interdite d'un matériau, ou gap, est l'intervalle, situé entre la bande de valence et la bande de conduction, dans lequel la densité d'états électroniques est nulle, de sorte qu'on n'y trouve pas de niveau d'énergie électronique. La largeur de bande interdite, ou band gap en anglais, est une caractéristique fondamentale des matériaux semiconducteurs ; souvent notée , elle est généralement exprimée en électronvolts (eV). Fichier:Band filling diagram.
Dioxyde d'azoteLe dioxyde d'azote est un composé chimique de formule . Concentré, il se présente comme un gaz brun-rouge toxique suffocant à l'odeur âcre et piquante caractéristique. C'est un précurseur de la production industrielle de l'acide nitrique et un polluant majeur de l'atmosphère terrestre produit par les moteurs à combustion interne (à Diesel majoritairement) et les centrales thermiques ; il est responsable à ce titre du caractère eutrophisant et acidifiant des « pluies acides » non soufrées (le NO2 combiné à l'ozone troposphérique anthropique forme des nitrates très solubles dans l'eau).
Matériauvignette|Grandes classes de matériaux. Les matériaux minéraux sont des roches, des céramiques ou des verres. Les matériaux métalliques sont des métaux ou des alliages. Un matériau est toute matière utilisée pour réaliser un objet au sens large. Ce dernier est souvent une pièce d'un sous-ensemble. C'est donc une matière sélectionnée à l'origine en raison de propriétés particulières et mise en œuvre en vue d'un usage spécifique.
Matière premièrethumb|right|Le soufre est une matière première de nature minérale. Ici, des monticules de soufre attendent dans un port de commerce, prêts à être chargés à bord de navires vraquiers. thumb|right|Le latex est une matière première de nature végétale. Ici, du latex est collecté à même sa source naturelle, l'arbre à caoutchouc. thumb|right|La laine est une matière première de nature animale. Ici, de la laine de mouton vient d'être tondue et attend d'être traitée et tissée dans une manufacture de tapis.
TriméthylgalliumLe triméthylgallium (TMG), Ga(CH3)3, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), le phosphure de gallium (GaP), l'antimoniure de gallium (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc. Le TMG est connu pour être pyrophorique, c.à.d.
Abattage par atmosphère contrôléeL'abattage par atmosphère contrôlée (controlled atmosphere killing, CAK) est une méthode d'étourdissement et d'abattage d'animaux comme les poulets consistant à placer les animaux dans un conteneur dans lequel l'oxygène est raréfié au profit de gaz argon, d'hydrogène ou d'azote, faisant ainsi perdre conscience à l'animal avec peu ou pas de douleur. L'abattage par atmosphère contrôlée est considéré comme l'une des méthodes les plus douces pour donner la mort.
ÉpitaxieL'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes. Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».
