MODFETLe MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou transistor à effet de champ à dopage modulé est un type de transistor à effet de champ (FET). Il est connu aussi sous le nom de HEMT (High Electron Mobility Transistor), ou transistor à électron à haute mobilité. Comme les autres FET, les MODFET sont utilisés dans les circuits intégrés comme interrupteur numérique. vignette|Structure de bande d'un transistor HEMT n-AlGaAs/GaAs montrant la présence d'une zone de gaz d'électrons 2D.
Acétate de zincL'acétate de zinc est un composé chimique de formule ayant souvent la structure d'un dihydrate . Anhydre ou hydratée, l'acétate se présente sous l'aspect d'un solide blanc faiblement odorant et les deux formes sont utilisées en synthèse chimique et comme compléments alimentaires. Il est produit par action de l'acide acétique sur du carbonate de zinc (smithsonite) ou du zinc élémentaire (métallique). Les deux atomes d'oxygène du groupe acétate peuvent se lier à des ions métalliques de plusieurs façons et par plusieurs types de liaison.
Atome interstitielIn materials science, an interstitial defect is a type of point crystallographic defect where an atom of the same or of a different type, occupies an interstitial site in the crystal structure. When the atom is of the same type as those already present they are known as a self-interstitial defect. Alternatively, small atoms in some crystals may occupy interstitial sites, such as hydrogen in palladium.
Spectrométrie de masse des ions secondairesLa spectrométrie de masse des ions secondaires est un procédé d'analyse de surface connu sous le nom de SIMS, d'après l'acronyme anglais signifiant secondary ion mass spectrometry, qui consiste à bombarder la surface de l'échantillon à analyser avec un faisceau d'ions. L'échantillon est alors pulvérisé, et une partie de la matière pulvérisée est ionisée. Ces ions secondaires sont alors accélérés vers un spectromètre de masse qui permettra de mesurer la composition élémentaire, isotopique ou moléculaire de la surface de l'échantillon.
Multi-junction solar cellMulti-junction (MJ) solar cells are solar cells with multiple p–n junctions made of different semiconductor materials. Each material's p-n junction will produce electric current in response to different wavelengths of light. The use of multiple semiconducting materials allows the absorbance of a broader range of wavelengths, improving the cell's sunlight to electrical energy conversion efficiency. Traditional single-junction cells have a maximum theoretical efficiency of 33.16%.
Bromure de zincZinc bromide (ZnBr2) is an inorganic compound with the chemical formula ZnBr2. It is a colourless salt that shares many properties with zinc chloride (ZnCl2), namely a high solubility in water forming acidic solutions, and good solubility in organic solvents. It is hygroscopic and forms a dihydrate ZnBr2·2H2O. ZnBr2 · 2H2O is prepared by treating zinc oxide or zinc metal with hydrobromic acid. ZnO + 2 HBr + H2O → ZnBr2·2H2O Zn + 2 HBr → ZnBr2 + H2 The anhydrous material can be produced by dehydration of the dihydrate with hot CO2 or by reaction of zinc metal and bromine.
Atomic layer depositionL’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés.
Band diagramIn solid-state physics of semiconductors, a band diagram is a diagram plotting various key electron energy levels (Fermi level and nearby energy band edges) as a function of some spatial dimension, which is often denoted x. These diagrams help to explain the operation of many kinds of semiconductor devices and to visualize how bands change with position (band bending). The bands may be coloured to distinguish level filling. A band diagram should not be confused with a band structure plot.
Diffusion gazeusevignette|droite|Usine d'enrichissement d'uranium par diffusion gazeuse à Portsmouth dans l'Ohio. La diffusion gazeuse est un processus utilisé pour la production d'uranium enrichi. Il consiste à contraindre de l'hexafluorure d'uranium sous forme gazeuse, UF6, à traverser des membranes hémiperméables. Ce qui permet la séparation des molécules contenant de l'uranium-235 et de l'uranium-238. En utilisant une cascade de plusieurs de ces dispositifs, on obtient une bonne séparation des isotopes.
Défaut cristallinvignette|Défauts ponctuels vus au MET (a, atome de S substitué par Mo) et lacunes (b, atomes de S manquants). Echelle barre: 1 nm. Un 'défaut cristallin' est une interruption de la périodicité du cristal. La périodicité d'un cristal représente la répétition régulière des positions atomiques dans les trois directions de l'espace. Les motifs réguliers sont interrompus par des défauts cristallographiques. Ils peuvent être ponctuels (dimension 0), linéaires (dimension 1), planaires (dimension 2) ou volumiques (dimension 3).
