Publication

Powder Dynamics in Very High-Frequency Silane Plasmas

Résumé

Particulate contamination produced during plasma-assisted deposition of amorphous silicon devices can be responsible for reduced quality and yield. The threshold for powder formation imposes an upper limit on the radio frequency (rf) power and hence the deposition rate. In this work, the parallel-plate capacitor discharge volume is illuminated and global, spatio-temporal powder dynamics are recorded by CCD camera for analysis. The onset of powder production is determined visually and from observed modifications to the discharge electrical properties such as the matching condition, the direct current self-bias and the rf power transfer efficiency. A systematic study has been made of the powder-free operational space as a function of rf power, rf frequency (13.56-70 MHz) and substrate temperature.

À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.