Electron mobilityIn solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. When an electric field E is applied across a piece of material, the electrons respond by moving with an average velocity called the drift velocity, .
Transistor à effet de champUn transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
Nitrurevignette|redresse=1.5|Mèche en acier durcie par un revêtement de nitrure de titane. Les nitrures sont des composés où l'azote est au nombre d'oxydation –III. Ils constituent une large famille dont certains représentants ont des applications concrètes comme le nitrure de titane dont la dureté est mise à profit pour renforcer certains outils. L'ion N est isoélectronique de l'ion oxyde O et de l'ion fluorure F. Il existe des nitrures ioniques ( où M = Be, Mg, Ca) et des nitrures covalents (, ).
Transistorvignette|Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques. C'est le composant actif le plus important des circuits électroniques aussi bien en basse qu'en haute tension : circuits logiques (il permet, assemblé avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes informatiques), amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal Les transistors revêtent une importance particulière dans les circuits intégrés, ce qui rend possible la microélectronique.
HétérojonctionUne hétérojonction est une jonction entre deux semi-conducteurs dont les bandes interdites (gap, en langue anglaise) sont différentes. Les hétérojonctions ont une importance considérable en physique des semi-conducteurs et en optique. Une hétérojonction est une jonction formée par deux semi-conducteurs différents ou par un métal et un semi-conducteur. Quand les deux semi-conducteurs ont le même type de conductivité, on parle d'hétérojonction isotype. Lorsque le type de conductivité diffère, on parle d'hétérojonction anisotype.
History of the transistorA transistor is a semiconductor device with at least three terminals for connection to an electric circuit. In the common case, the third terminal controls the flow of current between the other two terminals. This can be used for amplification, as in the case of a radio receiver, or for rapid switching, as in the case of digital circuits. The transistor replaced the vacuum-tube triode, also called a (thermionic) valve, which was much larger in size and used significantly more power to operate.
FréquenceEn physique, la fréquence est le nombre de fois qu'un phénomène périodique se reproduit par unité de temps. Dans le Système international d'unités, la fréquence s'exprime en hertz (Hz). La notion de fréquence s'applique aux phénomènes périodiques ou non. L'analyse spectrale transforme la description d'un phénomène en fonction du temps en description en fonction de la fréquence. Dans plusieurs domaines technologiques, on parle de fréquence spatiale. Dans cet usage, une dimension de l'espace prend la place du temps.
Arséniure d'aluminium-galliumL'arséniure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xAs) est un semi-conducteur utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL) émettant dans le rouge ou l'infrarouge. Le x dans la formule ci-dessus est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre l'arséniure de gallium (GaAs) et l'arséniure d'aluminium (AlAs). Arséniure de gallium Aluminium Catégorie:Composé du gallium Catégorie:Composé de l'aluminium aluminium-gallium Catégorie:Matériau semi-conducteur Catégorie:Composé
Diode électroluminescente organiquevignette|droite|250px|Prototype de panneaux OLED. Une diode électroluminescente organique ou DELO — usuellement désignée par son acronyme anglais OLED, pour organic light-emitting diode — est un composant électronique qui permet de produire de la lumière. La structure de la diode est relativement simple puisque c'est une superposition de plusieurs couches semi-conductrices organiques entre deux électrodes dont l'une (au moins) est transparente.
TriméthylgalliumLe triméthylgallium (TMG), Ga(CH3)3, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), le phosphure de gallium (GaP), l'antimoniure de gallium (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc. Le TMG est connu pour être pyrophorique, c.à.d.
