Deep-level transient spectroscopyDeep-level transient spectroscopy (DLTS) is an experimental tool for studying electrically active defects (known as charge carrier traps) in semiconductors. DLTS establishes fundamental defect parameters and measures their concentration in the material. Some of the parameters are considered as defect "finger prints" used for their identifications and analysis. DLTS investigates defects present in a space charge (depletion) region of a simple electronic device. The most commonly used are Schottky diodes or p-n junctions.
Mathematical descriptions of the electromagnetic fieldThere are various mathematical descriptions of the electromagnetic field that are used in the study of electromagnetism, one of the four fundamental interactions of nature. In this article, several approaches are discussed, although the equations are in terms of electric and magnetic fields, potentials, and charges with currents, generally speaking. Classical electromagnetism The most common description of the electromagnetic field uses two three-dimensional vector fields called the electric field and the magnetic field.
État transitoireUn procédé est dit être à l'état transitoire si une variable du système varie avec le temps. Certains types de procédé sont toujours à l'état transitoire ( un réacteur discontinu où les concentrations des réactifs et des produits varient tout au long de la réaction), alors que d'autres ne le sont que durant la phase de démarrage du procédé (exemple : le réacteur continu ou la distillation continue).
Température thermodynamiqueLa température thermodynamique est une formalisation de la notion expérimentale de température et constitue l’une des grandeurs principales de la thermodynamique. Elle est intrinsèquement liée à l'entropie. Usuellement notée , la température thermodynamique se mesure en kelvins (symbole K). Encore souvent qualifiée de « température absolue », elle constitue une mesure absolue parce qu’elle traduit directement le phénomène physique fondamental qui la sous-tend : l’agitation des constituant la matière (translation, vibration, rotation, niveaux d'énergie électronique).
Transistor à effet de champ à grille métal-oxydethumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.
Impédance caractéristique du videL'impédance caractéristique du vide est une constante physique, liant les amplitudes des champs électrique et magnétique se propageant dans un espace libre. Elle est notée par . L'impédance caractéristique du vide est définie par : où : est la perméabilité magnétique du vide ou constante magnétique est la vitesse de la lumière dans le vide. est la permittivité du vide Dans le système du SI, sa valeur est égale à : Avant le 20 mai 2019, le coefficient était une valeur exacte parce que c et avaient des valeurs fixes, définissant le mètre à partir de la seconde et l'ampère à partir du kilogramme, du mètre et de la seconde.
Jonction p-nvignette|230px|Jonction p-n dans du silicium. Sur ce schéma, les régions p et n sont reliées à des contacts métalliques, ce qui suffit à transformer la jonction en diode. vignette|230px|Le symbole d'une diode associé à la représentation d'une jonction p-n. En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n.
Theory of solar cellsThe theory of solar cells explains the process by which light energy in photons is converted into electric current when the photons strike a suitable semiconductor device. The theoretical studies are of practical use because they predict the fundamental limits of a solar cell, and give guidance on the phenomena that contribute to losses and solar cell efficiency. Photons in sunlight hit the solar panel and are absorbed by semi-conducting materials. Electrons (negatively charged) are knocked loose from their atoms as they are excited.
Linear circuitA linear circuit is an electronic circuit which obeys the superposition principle. This means that the output of the circuit F(x) when a linear combination of signals ax1(t) + bx2(t) is applied to it is equal to the linear combination of the outputs due to the signals x1(t) and x2(t) applied separately: It is called a linear circuit because the output voltage and current of such a circuit are linear functions of its input voltage and current. This kind of linearity is not the same as that of straight-line graphs.
Caractéristique (électricité)La caractéristique (abréviation de « courbe caractéristique ») d'un dipôle électrique est la relation existant entre l'intensité i du courant traversant le dipôle et la tension u aux bornes de celui-ci. Il est indispensable de connaître la caractéristique pour concevoir un circuit intégrant le dipôle. La caractéristique associe très généralement deux variables d'état du dipôle : une grandeur extensive (le courant électrique) à une grandeur intensive (la tension).
