Publication

Microstructure of Al95.5Cr2.5Si2(N1-xOx) thin films covering from nitrides to oxides

Alireza Karimi, Hossein Najafi
2011
Article

Résumé

Al95.5Cr2.5Si2(N1-xOx) thin films were prepared using pulsed DC-magnetron sputtering at 650 degrees C by changing the oxygen to nitrogen ratio (O-2/(O-2 + N-2)) in the reactive gas. The obtained films were characterized by various techniques including XRD, XPS, SEM, HRTEM and nano-indentation. By probing the structural and mechanical properties of the films, the existences of three distinct modes were confirmed in the synthesis stages with respect to the oxygen content, x. In the nitride mode with x

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/record/170982?ln=fr

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Preparation of amorphous bismuth films by quenched condensation insode of a superconducting magnet

Structure, Oxygen Content and Electric Properties of Titanium Nitride Electrodes in TiNx/La:HfO2/TiNx Stacks Grown by PEALD on SiO2/Si

Performance of the new SmartCardia wireless, wearable oximeter: a comparison with arterial SaO2 in healthy volunteers

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