Publication

A 500 fW/bit 14 fJ/bit-access 4kb Standard-Cell Based Sub-VT Memory in 65nm CMOS

Publications associées (46)

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Connectez-vous pour utiliser Chat avec Graph Search

A 500 fW/bit 14 fJ/bit-access 4kb Standard-Cell Based Sub-VT Memory in 65nm CMOS

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Tunnel Field Effect Transistors

10.3 A 7.5mW 7.5Gb/s Mixed NRZ/Multi-Tone Serial Data Transceiver for Multi-Drop Memory Interfaces in 40nm CMOS

Low-Voltage Read/Write Circuit Design for Transistorless ReRAM Crossbar Arrays in 180nm CMOS Technology

4T Gain-Cell with internal-feedback for ultra-low retention power at scaled CMOS nodes

Multi-level wordline driver for robust SRAM design in nano-scale CMOS technology

Single event upset mitigation in low power SRAM design

System-level Assessment and Area Evaluation of Spin Wave Logic Circuits

Resolving the Memory Bottleneck for Single Supply Near-Threshold Computing

A ReRAM-Based Non-Volatile Flip-Flop with Sub-VT Read and CMOS Voltage-Compatible Write

Standard-Cell Based Memories (SCMs): from Sub-VT to Error-Resilient Systems