Heterogeneous integration of ReRAM crossbars in a CMOS foundry chip

Giovanni De Micheli, Davide Sacchetto, Yusuf Leblebici, Pierre-Emmanuel Julien Marc Gaillardon, Alessandro Cevrero, Jury Sandrini, Tugba Demirci
2014
Article de conférence

Résumé

In this paper, we present a heterogeneous integration of ReRAMs with standard CMOS technology by post-processing the Back-End-of-the-Line (BEOL) of fully finished CMOS chips.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/record/201908?ln=fr

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Heterogeneous integration of ReRAM crossbars in a CMOS foundry chip

An All-Digital 1 Mbps, 57 pJ/bit Bluetooth Low Energy (BLE) Backscatter ASIC in 65 nm CMOS

Circuit Designs of High-Performance and Low-Power RRAM-Based Multiplexers Based on 4T(ransistor)1R(RAM) Programming Structure

An All-Digital 1 Mbps, 57 pJ/bit Bluetooth Low Energy (BLE) Backscatter ASIC in 65 nm CMOS

Circuit Designs of High-Performance and Low-Power RRAM-Based Multiplexers Based on 4T(ransistor)1R(RAM) Programming Structure