SDRAMSDRAM ou Synchronous Dynamic Random Access Memory (en français, mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire) est un type particulier de mémoire vive dynamique ayant une interface de communication synchrone. Jusqu'à son apparition, les mémoires DRAM étaient asynchrones, cela signifie qu'elles n'attendaient pas un signal de l'horloge du bus pour réagir aux signaux d'entrée, donc qu'elles n'étaient pas synchronisées avec le bus.
Système embarquéUn système embarqué est un système électronique et informatique autonome, souvent temps réel, spécialisé dans une tâche précise. Le terme désigne aussi bien le matériel informatique que le logiciel utilisé. Ses ressources sont généralement limitées spatialement (encombrement réduit) et énergétiquement (consommation restreinte). L'un des premiers systèmes modernes embarqués reconnaissables a été le Apollo Guidance Computer en 1967, le système de guidage de la mission lunaire Apollo, développé par Charles Stark Draper du Massachusetts Institute of Technology.
Alimentation sans interruptionUne alimentation sans interruption (ASI), ou alimentation statique sans coupure (ASSC), ou encore un onduleur (du nom d'un de ses composants), est un dispositif de l'électronique de puissance qui permet de fournir un courant alternatif stable et dépourvu de coupures ou de micro-coupures, quoi qu'il se produise sur le réseau électrique. Les ASI de dernières générations permettent également de maximiser le facteur de puissance vu du réseau, et de délivrer une haute qualité d'énergie en sortie, tout ceci indépendamment du réseau d'entrée (fréquence et tension RMS fixes, taux de distorsion harmonique faible).
IBM 360 et 370L’IBM 360 est un ordinateur fabriqué en 1965 par la firme International Business Machines. Ce calculateur mainframe comportait de nombreuses innovations, dont la compatibilité très grande entre machines par la microprogrammation, et rencontra un énorme succès pour l'époque. La série 360 a massivement contribué à imposer les ordinateurs dans le monde tant scientifique que des affaires.
Electrically-erasable programmable read-only memoryvignette|EEPROM Silicon Storage Technology 39VF512. La mémoire EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory ou mémoire morte effaçable électriquement et programmable) (aussi appelée E2PROM ou E2PROM) est un type de mémoire morte. Une mémoire morte est une mémoire utilisée pour enregistrer des informations qui ne doivent pas être perdues lorsque l'appareil qui les contient n'est plus alimenté en électricité. Le contenu de la mémoire EEPROM peut être facilement effacé et réécrit à l'aide d'un courant électrique.
Circuit intégréLe circuit intégré (CI), aussi appelé puce électronique, est un composant électronique, basé sur un semi-conducteur, reproduisant une ou plusieurs fonctions électroniques plus ou moins complexes, intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre. Il existe une très grande variété de ces composants divisés en deux grandes catégories : analogique et numérique.
Memory cell (computing)The memory cell is the fundamental building block of computer memory. The memory cell is an electronic circuit that stores one bit of binary information and it must be set to store a logic 1 (high voltage level) and reset to store a logic 0 (low voltage level). Its value is maintained/stored until it is changed by the set/reset process. The value in the memory cell can be accessed by reading it. Over the history of computing, different memory cell architectures have been used, including core memory and bubble memory.
Gestion de la mémoireLa gestion de la mémoire est une forme de gestion des ressources appliquée à la mémoire de l'ordinateur. L'exigence essentielle de la gestion de la mémoire est de fournir des moyens d'allouer dynamiquement des portions de mémoire aux programmes à leur demande, et de les libérer pour réutilisation lorsqu'elles ne sont plus nécessaires. Ceci est essentiel pour tout système informatique avancé où plus d'un processus peuvent être en cours à tout moment. Catégorie:Architecture informatique Catégorie:Pages avec
Martèlement de mémoireLe martèlement de mémoire, de l'anglais row hammer ou rowhammer, est un effet secondaire imprévu dans les mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) qui provoque une fuite de charge électrique dans des cellules de mémoire, et en conséquence provoque une interaction électrique entre ces cellules et d'autres cellules voisines. Le contenu mémorisé dans ces cellules voisines peut être ainsi modifié. Un programme informatique peut ainsi parvenir à modifier le contenu des cellules voisines sans avoir besoin d'accéder à ces cellules voisines, et donc sans avoir le droit d'y accéder.
Ajustement dynamique de la tensionLajustement dynamique de la tension des processeurs (en anglais dynamic voltage scaling) est une technique de gestion de la tension électrique utilisée dans les architectures des ordinateurs. Cette technique consiste à augmenter ou réduire le voltage des courants électriques qui parcourent le processeur. L'augmentation de la tension est généralement utilisée pour augmenter la fiabilité d'un système, la réduction permet, quant à elle, de réduire la consommation d'énergie.
